↓↓ لینک دانلود و خرید پایین توضیحات ↓↓ فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت) تعداد صفحات:11 قسمتی از متن فایل دانلودی : معرفي: اين مقاله تكنولوژي ذخيره سازي سيليكوني را توضيح مي دهد. در اين محصول سلول حافظه گيت و بازيابي تونل به روش ميداني تشريح شده است. تكنولوژي Super flash و سلول حافظه از نظر طراحي داراي مزاياي مهمي هستند و سازنده EEPROM هاي Flash در زمان استفاده از ابزارهاي منطقي در مقايسه با گيت Stack (پشته) اكسيد يا تكنيك 2 ترانزيستوري از قابليت عملكرد و آزادي عمل بيشتري برخوردار است. علاوه بر آن اين تكنولوژي داراي مزيتهاي قيمت كمتر و قابليت اطمينان بيشتر است. اين تكنولوژي با استفاده از لايه هاي كمتر از پردازش ساده تري برخوردار است كه در مقايسه با انواع ديگر قابل مقايسه است. عمدتاً كاهش مراحل و هزينه هاي لايه گذاري، سبب كاهش قيمت نهايي محصول مي شود. حافظه گيت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقايسه با انواع ت ...